홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » NSBA123TDP6T5G

ON Semiconductor NSBA123TDP6T5G

NSBA123TDP6T5G
제조업체 부품 번호
NSBA123TDP6T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBA123TDP6T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBA123TDP6T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBA123TDP6T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBA123TDP6T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBA123TDP6T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBA123TDP6T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBA123TDP6T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NSBA123TDP6
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)2.2k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대408mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-963
공급 장치 패키지SOT-963
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBA123TDP6T5G
관련 링크NSBA123T, NSBA123TDP6T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBA123TDP6T5G 의 관련 제품
65.536MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable DSC1121DI2-065.5360T.pdf
DIODE ZENER 47V 5W T18 1N5368E3/TR8.pdf
J159 P TO-220 J159.pdf
PEB3340EV1.3 Infineon BGA PEB3340EV1.3.pdf
102A415P2 WESTCODE MODULE 102A415P2.pdf
80RIA140 IR SMD or Through Hole 80RIA140.pdf
LPJ-2.8SP Bussmann SMD or Through Hole LPJ-2.8SP.pdf
BTM0605 TRA TO-220 BTM0605.pdf
AD5227BUJZ100-RL2 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole AD5227BUJZ100-RL2.pdf
SC101248CFU Freescale QFP64 SC101248CFU.pdf
CS0805KRX7RABB182 YAGEO SMD CS0805KRX7RABB182.pdf
PV37Y205C01B00 MURATA DIP PV37Y205C01B00.pdf