홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » NSBA115TF3T5G

ON Semiconductor NSBA115TF3T5G

NSBA115TF3T5G
제조업체 부품 번호
NSBA115TF3T5G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
데이터 시트 다운로드
다운로드
NSBA115TF3T5G 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 114.90338
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NSBA115TF3T5G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. NSBA115TF3T5G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NSBA115TF3T5G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NSBA115TF3T5G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NSBA115TF3T5G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NSBA115TF3T5G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서MUN2141, MUN5141, DTA115T, NSBA115TF3
PCN 설계/사양Wire Bond 01/Dec/2010
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)100k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 10V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic250mV @ 300µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대254mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1123
공급 장치 패키지SOT-1123
표준 포장 8,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NSBA115TF3T5G
관련 링크NSBA115, NSBA115TF3T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
NSBA115TF3T5G 의 관련 제품
150pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D151GXAAT.pdf
RES SMD 4.7M OHM 1% 1/10W 0603 CRG0603F4M7.pdf
ABT24513 TI SOP-20 ABT24513.pdf
T351A105J025AS7373 KEMET ORIGINAL T351A105J025AS7373.pdf
L0301-4R7KT ORIGINAL SMD or Through Hole L0301-4R7KT.pdf
CF201209T-R27K EROCORE NA CF201209T-R27K.pdf
SYM-30DHW MINI SMD or Through Hole SYM-30DHW.pdf
M0373A NEC SMD or Through Hole M0373A.pdf
UPD16875G-E1 NEC SMD or Through Hole UPD16875G-E1.pdf
SN2385DDCEG4 TI/BB SSOP36 SN2385DDCEG4.pdf
LYM676-R2-4-0-20 OSRAM SMD LYM676-R2-4-0-20.pdf
204S6C PHILIPS TO252 204S6C.pdf