창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NRVBS3100T3G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MBR3100T3G,NRVBS3100T3G SMC Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 790mV @ 3A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50µA @ 100V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | SMC | |
작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | NRVBS3100T3G-ND NRVBS3100T3GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NRVBS3100T3G | |
관련 링크 | NRVBS31, NRVBS3100T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | RW2S0CBR030JT | RES SMD 0.03 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0CBR030JT.pdf | |
![]() | MB672314U | MB672314U DIP FUJITSU | MB672314U.pdf | |
![]() | MB672504F-G-BND | MB672504F-G-BND FUJISU QFP | MB672504F-G-BND.pdf | |
![]() | D223Z39Y5VH6.L2R | D223Z39Y5VH6.L2R VISHAY DIP | D223Z39Y5VH6.L2R.pdf | |
![]() | BD6524HFV | BD6524HFV ROHM HVSOF6 | BD6524HFV.pdf | |
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![]() | DS26LS31MW/883Q | DS26LS31MW/883Q NSC CFP | DS26LS31MW/883Q.pdf | |
![]() | VS37RC83847A8 | VS37RC83847A8 ORIGINAL BGA | VS37RC83847A8.pdf | |
![]() | P280 | P280 ORIGINAL SMD or Through Hole | P280.pdf | |
![]() | QY1VDT | QY1VDT NULL TSSOP | QY1VDT.pdf | |
![]() | SDINC2-1G | SDINC2-1G SANDISK BGA | SDINC2-1G.pdf |