- NRSH562M10V12.5X35F

NRSH562M10V12.5X35F
제조업체 부품 번호
NRSH562M10V12.5X35F
제조업 자
-
제품 카테고리
다른 반도체 - 2
간단한 설명
NRSH562M10V12.5X35F NICCOMP DIP
데이터 시트 다운로드
다운로드
NRSH562M10V12.5X35F 가격 및 조달

가능 수량

55040 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NRSH562M10V12.5X35F 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. NRSH562M10V12.5X35F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NRSH562M10V12.5X35F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NRSH562M10V12.5X35F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NRSH562M10V12.5X35F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NRSH562M10V12.5X35F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈NRSH562M10V12.5X35F
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류DIP
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) NRSH562M10V12.5X35F
관련 링크NRSH562M10V, NRSH562M10V12.5X35F 데이터 시트, - 에이전트 유통
NRSH562M10V12.5X35F 의 관련 제품
0.012µF Film Capacitor 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) ECW-U2123KC9.pdf
68µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 187.2 mOhm Max Nonstandard NR10050T680M.pdf
RES SMD 90.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRC0790K9L.pdf
RES SMD 10 OHM 5% 2W 4525 PWR4525W10R0JE.pdf
883MHz, 2.1GHz GSM, UMTS Dome RF Antenna 806MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 2.5GHz 3dBi Connector, NMO Base Mount TRAB806/17103.pdf
IL-G-12P-S3L2-E JAE SMD or Through Hole IL-G-12P-S3L2-E.pdf
264-15UWC/S400-A6 EVERLIGHT SMD or Through Hole 264-15UWC/S400-A6.pdf
SN54LS641J TI SMD or Through Hole SN54LS641J.pdf
VJ1812Y333JXETM NA NA VJ1812Y333JXETM.pdf
BZX84B16LT3 ON SOT23 3 SNGL BZX84B16LT3.pdf
58X5173 IBM PLCC 58X5173.pdf
TL2272M ORIGINAL DIP16 TL2272M.pdf