창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP90N04NUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP90N04MUK, NP90N04NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3 풀팩(Full Pack), I²Pak | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP90N04NUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP90N04NUK, NP90N04NUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
UF4005-M3/54 | DIODE 1A 600V 75NS DO-204AL | UF4005-M3/54.pdf | ||
RNCF0402BTE16K0 | RES SMD 16K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RNCF0402BTE16K0.pdf | ||
MT58L32L32PT-7.5 | MT58L32L32PT-7.5 MICRONTEC QFP | MT58L32L32PT-7.5.pdf | ||
CR05AS-8-B-BT | CR05AS-8-B-BT ORIGINAL SOT89 | CR05AS-8-B-BT.pdf | ||
MGAC | MGAC NS MSOP8 | MGAC.pdf | ||
DN-93601-U/WH | DN-93601-U/WH ASSMANN SMD or Through Hole | DN-93601-U/WH.pdf | ||
HY62CT08081E-DG70C | HY62CT08081E-DG70C HYNIX SMD or Through Hole | HY62CT08081E-DG70C.pdf | ||
324894-A | 324894-A ORIGINAL SMD or Through Hole | 324894-A.pdf | ||
473M100V | 473M100V ORIGINAL SMD or Through Hole | 473M100V.pdf | ||
1N5927B(12V) | 1N5927B(12V) ON DO-41 | 1N5927B(12V).pdf | ||
90GH | 90GH ORIGINAL SOT23-5 | 90GH.pdf | ||
CB-CE02-18B-E | CB-CE02-18B-E SeikoInstruments SMD or Through Hole | CB-CE02-18B-E.pdf |