창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NP90N04MUK-S18-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NP90N04MUK, NP90N04NUK | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 45A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7050pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NP90N04MUK-S18-AY | |
| 관련 링크 | NP90N04MUK, NP90N04MUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | CL03C070BA3GNNC | 7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03C070BA3GNNC.pdf | |
![]() | P6KE180 | TVS DIODE 154VWM 258.3VC DO204AC | P6KE180.pdf | |
![]() | VY22248 | VY22248 PHILIPS BGA | VY22248.pdf | |
![]() | IMD2 N | IMD2 N ROHM SOT23-6 | IMD2 N.pdf | |
![]() | 6M83000051 | 6M83000051 TXC SMD or Through Hole | 6M83000051.pdf | |
![]() | AF1/4ST26 2051D | AF1/4ST26 2051D AUK NA | AF1/4ST26 2051D.pdf | |
![]() | GM180 | GM180 INFINEON SMD or Through Hole | GM180.pdf | |
![]() | NUP5120x6t1gL | NUP5120x6t1gL on SMD | NUP5120x6t1gL.pdf | |
![]() | S81330HGKBT1 | S81330HGKBT1 SEIKO SMD or Through Hole | S81330HGKBT1.pdf | |
![]() | 6.3ZAV470M8X12 | 6.3ZAV470M8X12 Rubycon DIP-2 | 6.3ZAV470M8X12.pdf |