창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP89N055MUK-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP89N055MUK, NP89N055NUK | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 45A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 102nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP89N055MUK-S18-AY | |
관련 링크 | NP89N055MU, NP89N055MUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
MAX13204EALT+T | TVS DIODE 6UDFN | MAX13204EALT+T.pdf | ||
SGL41-20-E3/96 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO213AB | SGL41-20-E3/96.pdf | ||
FQB30N06L | FQB30N06L FAIRC TO-263(D2PAK) | FQB30N06L .pdf | ||
S5N8951X01-T0R0 | S5N8951X01-T0R0 SAMSUNG TQFP-100 | S5N8951X01-T0R0.pdf | ||
D3NM60-1 | D3NM60-1 ST TO-251 | D3NM60-1.pdf | ||
UC2825N (p/b) | UC2825N (p/b) TI DIP16P | UC2825N (p/b).pdf | ||
R10-R0080-2.R10-R9Z4-S1275-DC24V | R10-R0080-2.R10-R9Z4-S1275-DC24V TYCO/ SMD or Through Hole | R10-R0080-2.R10-R9Z4-S1275-DC24V.pdf | ||
FB24-09DM | FB24-09DM FABRIMEX SIP | FB24-09DM.pdf | ||
C1965 | C1965 NEC CAN3 | C1965.pdf | ||
M2147B-1 | M2147B-1 ST SMD or Through Hole | M2147B-1.pdf | ||
PFB5502 | PFB5502 ORIGINAL TO-220 | PFB5502.pdf |