창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP82N055PUG-E1-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP82N055PUG | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 41A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | NP82N055PUG-E1-AY-ND NP82N055PUG-E1-AYTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP82N055PUG-E1-AY | |
관련 링크 | NP82N055PU, NP82N055PUG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
B32926C3335K | 3.3µF Film Capacitor 305V Polypropylene (PP) Radial 1.634" L x 0.630" W (41.50mm x 16.00mm) | B32926C3335K.pdf | ||
AA0603FR-0756R2L | RES SMD 56.2 OHM 1% 1/10W 0603 | AA0603FR-0756R2L.pdf | ||
CMF5030K000JKEB | RES 30K OHM 1/4W 5% AXIAL | CMF5030K000JKEB.pdf | ||
HD-2400M-IN | HD-2400M-IN ORIGINAL SMD-4 | HD-2400M-IN.pdf | ||
BUK102-50DL | BUK102-50DL PHI TO-220 | BUK102-50DL.pdf | ||
6544672001 | 6544672001 TI PLCC-44 | 6544672001.pdf | ||
AP2210N-2.5TRE1 | AP2210N-2.5TRE1 BCD SOT-23-3 | AP2210N-2.5TRE1.pdf | ||
TDF8556J/M5 | TDF8556J/M5 NXP SIP36 | TDF8556J/M5.pdf | ||
M27C4001-70F1 | M27C4001-70F1 ST DIP | M27C4001-70F1.pdf | ||
CUS02(TE85L) | CUS02(TE85L) TOSHIBA SMD or Through Hole | CUS02(TE85L).pdf | ||
CR0603JA0223G | CR0603JA0223G CR O603 | CR0603JA0223G.pdf |