창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NP80N055NDG-S18-AY | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NP80N055xDG | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.9m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NP80N055NDG-S18-AY | |
관련 링크 | NP80N055ND, NP80N055NDG-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | RG1608P-681-B-T5 | RES SMD 680 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-681-B-T5.pdf | |
![]() | ERA-8APB1652V | RES SMD 16.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8APB1652V.pdf | |
![]() | CMF5512K000BEEA70 | RES 12K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5512K000BEEA70.pdf | |
![]() | DAC7541AJV-T1 | DAC7541AJV-T1 BB SOP18 | DAC7541AJV-T1.pdf | |
![]() | 47UF63V | 47UF63V ORIGINAL SMD or Through Hole | 47UF63V.pdf | |
![]() | PTZ16BTE25 | PTZ16BTE25 ROHM (SOD-106) | PTZ16BTE25.pdf | |
![]() | 228-4845-00-3303 | 228-4845-00-3303 M SMD or Through Hole | 228-4845-00-3303.pdf | |
![]() | SAFC942.5MA72NTC11 | SAFC942.5MA72NTC11 N/A SMD or Through Hole | SAFC942.5MA72NTC11.pdf | |
![]() | KNFL115-10W | KNFL115-10W ORIGINAL SMD or Through Hole | KNFL115-10W.pdf | |
![]() | MSL2708K | MSL2708K MIT DIP | MSL2708K.pdf | |
![]() | TL16C550CIFN-TI | TL16C550CIFN-TI TI PLCC44 | TL16C550CIFN-TI.pdf | |
![]() | NCV551SN31TR | NCV551SN31TR ON SMD or Through Hole | NCV551SN31TR.pdf |