창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NP60N04MUK-S18-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NP60N04MUK, NP60N04NUK | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NP60N04MUK-S18-AY | |
| 관련 링크 | NP60N04MUK, NP60N04MUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
|  | ESMQ251VSN102MR35S | 1000µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | ESMQ251VSN102MR35S.pdf | |
|  | VLCF5020T-3R3N2R0-1 | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 2.02A 96 mOhm Max Nonstandard | VLCF5020T-3R3N2R0-1.pdf | |
| .jpg) | RT1210WRB07178RL | RES SMD 178 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRB07178RL.pdf | |
|  | R1200F | R1200F HYG DO-41 | R1200F.pdf | |
|  | L4931CZ-3.3AP$W3 | L4931CZ-3.3AP$W3 ST TO-92 | L4931CZ-3.3AP$W3.pdf | |
|  | 4608M-102-503 | 4608M-102-503 Bourns DIP | 4608M-102-503.pdf | |
|  | BAS16D-V-GS08 | BAS16D-V-GS08 VishaySemiconductors SOD-123-2 | BAS16D-V-GS08.pdf | |
|  | 1617164-6 | 1617164-6 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1617164-6.pdf | |
|  | lm3481mm-nopb | lm3481mm-nopb nsc SMD or Through Hole | lm3481mm-nopb.pdf | |
|  | ELT3KN130C | ELT3KN130C ORIGINAL SMD or Through Hole | ELT3KN130C.pdf | |
|  | CRC351744701 | CRC351744701 NA SOP24 | CRC351744701.pdf |