창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NP60N04MUK-S18-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NP60N04MUK, NP60N04NUK | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NP60N04MUK-S18-AY | |
| 관련 링크 | NP60N04MUK, NP60N04MUK-S18-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
| UPW2A6R8MDH | 6.8µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | UPW2A6R8MDH.pdf | ||
![]() | SIT8008AI-82-18E-100.000000Y | OSC XO 1.8V 100MHZ OE | SIT8008AI-82-18E-100.000000Y.pdf | |
![]() | LQP18MN1N8C02D | 1.8nH Unshielded Thick Film Inductor 250mA 400 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQP18MN1N8C02D.pdf | |
![]() | HIH-4601-A | HIH-4601-A Honeywell Sensor | HIH-4601-A.pdf | |
![]() | AD810JNZ | AD810JNZ NS DIP8 | AD810JNZ.pdf | |
![]() | Q2403 Demo Kit | Q2403 Demo Kit WAVECOM NA | Q2403 Demo Kit.pdf | |
![]() | Z1033-Z | Z1033-Z SEMITEC DO-15 | Z1033-Z.pdf | |
![]() | TSC2006EVM | TSC2006EVM TI SMD or Through Hole | TSC2006EVM.pdf | |
![]() | 216DK8AVA12PH9200 | 216DK8AVA12PH9200 ATI BGA | 216DK8AVA12PH9200.pdf | |
![]() | LT1016AMH | LT1016AMH LT CAN10 | LT1016AMH.pdf | |
![]() | CD4059BE | CD4059BE ORIGINAL DIP-24L | CD4059BE.pdf | |
![]() | CY25100SXC-049 | CY25100SXC-049 CYPRESS SOIC8 | CY25100SXC-049.pdf |