창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NP48N055KLE-E1-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NP48N055xLE | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 48A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NP48N055KLE-E1-AY | |
| 관련 링크 | NP48N055KL, NP48N055KLE-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | RCH895NP-820K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 160 mOhm Max Radial | RCH895NP-820K.pdf | |
![]() | RT0402BRE0778K7L | RES SMD 78.7KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE0778K7L.pdf | |
![]() | HN27C256AFP-15 | HN27C256AFP-15 MOELLER NULL | HN27C256AFP-15.pdf | |
![]() | TMS320DRE201GGU160 | TMS320DRE201GGU160 TI BGA-144 | TMS320DRE201GGU160.pdf | |
![]() | LTC6084CMS8#PBF/HM | LTC6084CMS8#PBF/HM LT MSOP8 | LTC6084CMS8#PBF/HM.pdf | |
![]() | 25LC040A-I/MS | 25LC040A-I/MS Microchip MSOP-8 | 25LC040A-I/MS.pdf | |
![]() | LS1238 | LS1238 HY DIP | LS1238.pdf | |
![]() | C0402JRX7R7BB682 | C0402JRX7R7BB682 PHYCOMP SMD or Through Hole | C0402JRX7R7BB682.pdf | |
![]() | CL10T101JB8ACNC | CL10T101JB8ACNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL10T101JB8ACNC.pdf | |
![]() | C0805ZKY5V7BB155 | C0805ZKY5V7BB155 YAGEO SMD | C0805ZKY5V7BB155.pdf | |
![]() | mn103sb9n | mn103sb9n Panasonic X | mn103sb9n.pdf |