Renesas Electronics America NP100P04PLG-E1-AY
- 제조업체 부품 번호
- NP100P04PLG-E1-AY
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
NP100P04PLG-E1-AY 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,463.78000
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NP100P04PLG-E1-AY 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. NP100P04PLG-E1-AY 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NP100P04PLG-E1-AY가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NP100P04PLG-E1-AY 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NP100P04PLG-E1-AY 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NP100P04PLG-E1-AY | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NP100P04PLG | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15100pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.8W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | NP100P04PLG-E1-AY-ND NP100P04PLG-E1-AYTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NP100P04PLG-E1-AY | |
| 관련 링크 | NP100P04PL, NP100P04PLG-E1-AY 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
NP100P04PLG-E1-AY 의 관련 제품
 | VJ0805D510GXCAP | 51pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510GXCAP.pdf | |
 | AOZ8070DI | RC (Pi) EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 100 Ohms, C = 8pF 20mA 16-UFDFN Exposed Pad | AOZ8070DI.pdf | |
 | LQP03TG39NJ02D | 39nH Unshielded Thin Film Inductor 110mA 4.6 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | LQP03TG39NJ02D.pdf | |
| CTLL1005F-FH15NJ | CTLL1005F-FH15NJ CENTRAL SMD or Through Hole | CTLL1005F-FH15NJ.pdf | |
| S-80926CNNB-G8WT2G | S-80926CNNB-G8WT2G ORIGINAL SC-82AB | S-80926CNNB-G8WT2G.pdf | |
| ADS8326IB | ADS8326IB TI 8-MSOP | ADS8326IB.pdf | |
| KAL005005M-DGYY000 | KAL005005M-DGYY000 SAMSUNG SMD or Through Hole | KAL005005M-DGYY000.pdf | |
| AG823-00016 | AG823-00016 AMPHENOL SMD or Through Hole | AG823-00016.pdf | |
| AD7863ARS-10 -2 | AD7863ARS-10 -2 AD SMD | AD7863ARS-10 -2.pdf | |
| 2SC2223-L | 2SC2223-L NEC SOT-23 | 2SC2223-L.pdf | |
| 16YXH2200M18X16 | 16YXH2200M18X16 RUBYCON DIP | 16YXH2200M18X16.pdf | |
| B78313P9013A005/T5396 | B78313P9013A005/T5396 EPCOS SMD or Through Hole | B78313P9013A005/T5396.pdf |