창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NOJB226M006RNJ(6.3V/22UF/B) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NOJB226M006RNJ(6.3V/22UF/B) | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | B | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NOJB226M006RNJ(6.3V/22UF/B) | |
관련 링크 | NOJB226M006RNJ(6, NOJB226M006RNJ(6.3V/22UF/B) 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
CL05C3R5CB5NCNC | 3.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CL05C3R5CB5NCNC.pdf | ||
MR051C103KAAAP2 | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051C103KAAAP2.pdf | ||
GRM0336T1E6R5CD01D | 6.5pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E6R5CD01D.pdf | ||
E-TA3216 3DB N5 | RF Attenuator 3dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 100mW 1206 (3216 Metric) | E-TA3216 3DB N5.pdf | ||
MDD100/12 | MDD100/12 IXYS SMD or Through Hole | MDD100/12.pdf | ||
VS5SMK | VS5SMK ORIGINAL DIP-SOP | VS5SMK.pdf | ||
CHA201VSN271MP25M | CHA201VSN271MP25M Chemi-con na | CHA201VSN271MP25M.pdf | ||
16LC76T-04I/SO | 16LC76T-04I/SO MIOROCHIP SMD or Through Hole | 16LC76T-04I/SO.pdf | ||
LQG21C1R0N00 | LQG21C1R0N00 MURATA SMD or Through Hole | LQG21C1R0N00.pdf | ||
D784215GC216 | D784215GC216 NEC QFP | D784215GC216.pdf | ||
HD6301YORK55F | HD6301YORK55F ORIGINAL QFP | HD6301YORK55F.pdf | ||
A6E3101 | A6E3101 OMRON SMD or Through Hole | A6E3101.pdf |