창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NLV32T-R68J-P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NLV32T-R68J-P | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NLV32T-R68J-P | |
| 관련 링크 | NLV32T-, NLV32T-R68J-P 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32524Q6155J | 1.5µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 1.240" L x 0.433" W (31.50mm x 11.00mm) | B32524Q6155J.pdf | |
| AT-8.000MAHH-T | 8MHz ±30ppm 수정 15pF 120옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-8.000MAHH-T.pdf | ||
![]() | DR1050-560-R | 56µH Shielded Wirewound Inductor 1.96A 123 mOhm Max Nonstandard | DR1050-560-R.pdf | |
![]() | 2800 | RFID Tag Read/Write 144B (User) Memory 13.56MHz Inlay | 2800.pdf | |
![]() | G3U1084-1.8 | G3U1084-1.8 GTM SMD or Through Hole | G3U1084-1.8.pdf | |
![]() | TLC27L7MJGB | TLC27L7MJGB TI CDIP8 | TLC27L7MJGB.pdf | |
![]() | RN2209 | RN2209 Toshib TO-92S | RN2209.pdf | |
![]() | 74AHCT373DR | 74AHCT373DR TI SSOP | 74AHCT373DR.pdf | |
![]() | DDZ9700T | DDZ9700T DIODES SMD or Through Hole | DDZ9700T.pdf | |
![]() | 377003-E01 | 377003-E01 QUALTEK/WSI SMD or Through Hole | 377003-E01.pdf | |
![]() | lfe2-12se-5f256c | lfe2-12se-5f256c LATTICE bga | lfe2-12se-5f256c.pdf |