창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NGTB15N120IHWG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NGTB15N120IHWG | |
| PCN 조립/원산지 | Site Addition 09/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 30A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 60A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 15A | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 스위칭 에너지 | 360µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 120nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | -/130ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 15A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | NGTB15N120IHWGOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NGTB15N120IHWG | |
| 관련 링크 | NGTB15N1, NGTB15N120IHWG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | K221K15C0GK5UL2 | 220pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K221K15C0GK5UL2.pdf | |
|  | NZX36C,133 | DIODE ZENER 36V 500MW ALF2 | NZX36C,133.pdf | |
|  | HSC2001K2J | RES CHAS MNT 1.2K OHM 5% 200W | HSC2001K2J.pdf | |
|  | K161KH1A | K161KH1A ORIGINAL DIP | K161KH1A.pdf | |
|  | BCR10PNH6327 | BCR10PNH6327 INF SMD or Through Hole | BCR10PNH6327.pdf | |
|  | MAX6348UR44-T | MAX6348UR44-T MAXIM SMD or Through Hole | MAX6348UR44-T.pdf | |
|  | MVR34 HXBR N 152K | MVR34 HXBR N 152K ROHM SMD or Through Hole | MVR34 HXBR N 152K.pdf | |
|  | 16V220M | 16V220M FUJI 6X7 | 16V220M.pdf | |
|  | D2MV-01L111-1C2 | D2MV-01L111-1C2 OMRON SMD or Through Hole | D2MV-01L111-1C2.pdf | |
|  | Si2163-D-GM | Si2163-D-GM SILICON QFN | Si2163-D-GM.pdf | |
|  | PEC12-4130F-N0012 | PEC12-4130F-N0012 BOURNS SMD or Through Hole | PEC12-4130F-N0012.pdf |