창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NFN18CC223R1C3D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NFN18CC223R1C3D | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NFN18CC223R1C3D | |
관련 링크 | NFN18CC22, NFN18CC223R1C3D 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B32656J1224J | 0.22µF Film Capacitor 600V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.630" W (42.00mm x 16.00mm) | B32656J1224J.pdf | |
![]() | 416F37022CTT | 37MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37022CTT.pdf | |
![]() | SP1008R-272G | 2.7µH Shielded Wirewound Inductor 485mA 482 mOhm Max Nonstandard | SP1008R-272G.pdf | |
![]() | HSA508R2J | RES CHAS MNT 8.2 OHM 5% 50W | HSA508R2J.pdf | |
![]() | SY100E111AEJC | SY100E111AEJC SYNERGY PLCC28L | SY100E111AEJC.pdf | |
![]() | G3MC-201PL-DC5V | G3MC-201PL-DC5V OMRON SMD or Through Hole | G3MC-201PL-DC5V.pdf | |
![]() | PO420T | PO420T pulse SMD or Through Hole | PO420T.pdf | |
![]() | RG82845G SL6PR | RG82845G SL6PR INTEL BGA | RG82845G SL6PR.pdf | |
![]() | NE5534APE4(PER HP DWG) (6Y) | NE5534APE4(PER HP DWG) (6Y) TEXAS SMD or Through Hole | NE5534APE4(PER HP DWG) (6Y).pdf | |
![]() | MAX543PIJA | MAX543PIJA MAX CDIP8 | MAX543PIJA.pdf | |
![]() | 2SA1015G-GR-T92-B | 2SA1015G-GR-T92-B UST SMD or Through Hole | 2SA1015G-GR-T92-B.pdf | |
![]() | 13.4083SMD | 13.4083SMD MICROCHIP SOP28 | 13.4083SMD.pdf |