홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF 트랜지스터(BJT) » NE68133-T1B-R35-A

CEL NE68133-T1B-R35-A

NE68133-T1B-R35-A
제조업체 부품 번호
NE68133-T1B-R35-A
제조업 자
제품 카테고리
RF 트랜지스터(BJT)
간단한 설명
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
데이터 시트 다운로드
다운로드
NE68133-T1B-R35-A 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 743.78300
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NE68133-T1B-R35-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE68133-T1B-R35-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE68133-T1B-R35-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NE68133-T1B-R35-A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NE68133-T1B-R35-A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NE68133-T1B-R35-A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RF Wireless Brochure
NE68133,2SC3583
PCN 조립/원산지Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF 트랜지스터(BJT)
제조업체CEL
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)10V
주파수 - 트랜지션9GHz
잡음 지수(dB 통상 @ f)1.2dB @ 1GHz
이득13dB
전력 - 최대200mW
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce125 @ 20mA, 8V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)65mA
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NE68133-T1B-R35-A
관련 링크NE68133-T1, NE68133-T1B-R35-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통
NE68133-T1B-R35-A 의 관련 제품
0.22µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C224J1RACTU.pdf
RES SMD 1.2K OHM 10% 1/4W 0805 SR0805KR-7W1K2L.pdf
RES SMD 1.6K OHM 5% 1/4W 1206 MCR18EZPJ162.pdf
RES SMD 931 OHM 1% 1/2W 1210 CRCW1210931RFKTA.pdf
RES SMD 1.3K OHM 1% 1/4W 1206 CRCW12061K30FKTB.pdf
XC3090L-8TQ144C XILINX PLCC XC3090L-8TQ144C.pdf
P28FE10-150 INTEL DIP-32 P28FE10-150.pdf
AIC1638-36CU AIC SOT-23 AIC1638-36CU.pdf
AMK-02-LPF801-41 ORIGINAL BGA-432D AMK-02-LPF801-41.pdf
AT413E NKK SMD or Through Hole AT413E.pdf
LM6142N NS DIP8 LM6142N.pdf
DALC2085C6 STM SMD or Through Hole DALC2085C6.pdf