창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE68133-T1B-R34-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RF Wireless Brochure NE68133,2SC3583 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 25/Feb/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 10V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 9GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 1.2dB @ 1GHz | |
| 이득 | 13dB | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 8V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 65mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE68133-T1B-R34-A | |
| 관련 링크 | NE68133-T1, NE68133-T1B-R34-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
![]() | ERG-3SJ241 | RES 240 OHM 3W 5% AXIAL | ERG-3SJ241.pdf | |
![]() | MRS25000C7154FCT00 | RES 7.15M OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C7154FCT00.pdf | |
![]() | FKN7WSJR-91-27R | RES 27 OHM 7W 5% AXIAL | FKN7WSJR-91-27R.pdf | |
![]() | T491D476M006AS1130 | T491D476M006AS1130 KEMET D | T491D476M006AS1130.pdf | |
![]() | 52819-0879 | 52819-0879 MOLEX SMD or Through Hole | 52819-0879.pdf | |
![]() | APT11N80KC3G | APT11N80KC3G APT TO-220 | APT11N80KC3G.pdf | |
![]() | NH1-25 | NH1-25 SIBA SMD or Through Hole | NH1-25.pdf | |
![]() | FRD169 | FRD169 ST SMD or Through Hole | FRD169.pdf | |
![]() | SA40CARLG | SA40CARLG ON DO-15 | SA40CARLG.pdf | |
![]() | GM71V17403CT6 | GM71V17403CT6 HYUNDAI TSOP24 | GM71V17403CT6.pdf | |
![]() | FWGO5200 | FWGO5200 NVIDIA BGA | FWGO5200.pdf | |
![]() | MM5Z15VT5G | MM5Z15VT5G ONSEMI SMD or Through Hole | MM5Z15VT5G.pdf |