CEL NE5550779A-T1-A
NE5550779A-T1-A 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 5,937.90900
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 NE5550779A-T1-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE5550779A-T1-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE5550779A-T1-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- NE5550779A-T1-A 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
NE5550779A-T1-A 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-NE5550779A-T1-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE5550779A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 900MHz | |
| 이득 | 22dB | |
| 전압 - 테스트 | 7.5V | |
| 정격 전류 | 2.1A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 140mA | |
| 전력 - 출력 | 38.5dBm | |
| 전압 - 정격 | 30V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 79A | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE5550779A-T1-A | |
| 관련 링크 | NE5550779, NE5550779A-T1-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
NE5550779A-T1-A 의 관련 제품
 | HVR2500003903FR500 | RES 390K OHM 1/4W 1% AXIAL | HVR2500003903FR500.pdf | |
 | RSMF3JT22K0 | RES METAL OX 3W 22K OHM 5% AXL | RSMF3JT22K0.pdf | |
 | AIC1680C-53CV | AIC1680C-53CV AIC SOT25 | AIC1680C-53CV.pdf | |
| NJM4315D | NJM4315D JRC DIP | NJM4315D.pdf | |
| DS1859E-050/T R | DS1859E-050/T R DALLA SMD or Through Hole | DS1859E-050/T R.pdf | |
| EPT2002 | EPT2002 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPT2002.pdf | |
| 524372491 | 524372491 Molex SMD or Through Hole | 524372491.pdf | |
| UMXOD331MCR1GS | UMXOD331MCR1GS NICHICON SMD | UMXOD331MCR1GS.pdf | |
| MICRO 4GB/SD-C04G2T2 BULK | MICRO 4GB/SD-C04G2T2 BULK TOSHIBA SMD or Through Hole | MICRO 4GB/SD-C04G2T2 BULK.pdf | |
| ESJ5YB1E106M | ESJ5YB1E106M PA SMD or Through Hole | ESJ5YB1E106M.pdf | |
| DAC7513E/250 G4 | DAC7513E/250 G4 BB SMD or Through Hole | DAC7513E/250 G4.pdf |