CEL NE5550779A-A

NE5550779A-A
제조업체 부품 번호
NE5550779A-A
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
FET RF 30V 900MHZ 79A
데이터 시트 다운로드
다운로드
NE5550779A-A 가격 및 조달

가능 수량

9109 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 6,579.14400
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 NE5550779A-A 재고가 있습니다. 우리는 CEL 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 CEL 전자 부품 전문. NE5550779A-A 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. NE5550779A-A가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
NE5550779A-A 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
NE5550779A-A 매개 변수
내부 부품 번호EIS-NE5550779A-A
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서NE5550779A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체CEL
계열-
포장벌크
부품 현황유효
트랜지스터 유형LDMOS
주파수900MHz
이득22dB
전압 - 테스트7.5V
정격 전류2.1A
잡음 지수-
전류 - 테스트140mA
전력 - 출력38.5dBm
전압 - 정격30V
패키지/케이스4-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지79A
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)NE5550779A-A
관련 링크NE55507, NE5550779A-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통
NE5550779A-A 의 관련 제품
2200pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) FA26C0G2J222JNU06.pdf
2200pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 E 방사형, 디스크 0.374" Dia(9.50mm) CK45-E3FD222ZYNN.pdf
MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT STL55NH3LL.pdf
Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - M10 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder P51-100-A-M-D-4.5OVP-000-000.pdf
SSW11201GS SAM CONN SSW11201GS.pdf
FQPF6N80C-LF FAIRCHILD TO-220F FQPF6N80C-LF.pdf
AD436FBRZ AD SOP AD436FBRZ.pdf
6MHZ/CSTLS6M00G53-AO MURATA SMD or Through Hole 6MHZ/CSTLS6M00G53-AO.pdf
2SC4570-T77 ORIGINAL SOT-23 2SC4570-T77.pdf
GRM21BB11H104KA01L(G MURATA SMD or Through Hole GRM21BB11H104KA01L(G.pdf
TP3071AN-D NSC DIP TP3071AN-D.pdf
SP706T ORIGINAL SOP8 SP706T.pdf