창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE5550279A-T1-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE5550279A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | LDMOS | |
주파수 | 900MHz | |
이득 | 22.5dB | |
전압 - 테스트 | 7.5V | |
정격 전류 | 600mA | |
잡음 지수 | - | |
전류 - 테스트 | 40mA | |
전력 - 출력 | 33dBm | |
전압 - 정격 | 30V | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | 79A | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE5550279A-T1-A | |
관련 링크 | NE5550279, NE5550279A-T1-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
![]() | AD8671ARMZ-R2 | AD8671ARMZ-R2 ANALOGDEVICES original pack | AD8671ARMZ-R2.pdf | |
![]() | BZX584C5V6 | BZX584C5V6 ORIGINAL SOD-523 | BZX584C5V6.pdf | |
![]() | XC18V256S020C | XC18V256S020C Xilinx SMD or Through Hole | XC18V256S020C.pdf | |
![]() | TMM7608G8M30C | TMM7608G8M30C TWINMOS BGA | TMM7608G8M30C.pdf | |
![]() | MB87M4480 | MB87M4480 ORIGINAL SMD | MB87M4480.pdf | |
![]() | CDRH63-100 | CDRH63-100 HZ SMD or Through Hole | CDRH63-100.pdf | |
![]() | 4N12 | 4N12 ORIGINAL SMD-2 | 4N12.pdf | |
![]() | LFD212G45DP3A140 | LFD212G45DP3A140 ORIGINAL SMD or Through Hole | LFD212G45DP3A140.pdf | |
![]() | AD7938-6CBZ | AD7938-6CBZ ADI SMD or Through Hole | AD7938-6CBZ.pdf | |
![]() | SC400-33 | SC400-33 AMD BGA | SC400-33.pdf | |
![]() | 54F85/B2A-95 | 54F85/B2A-95 N/A N A | 54F85/B2A-95.pdf | |
![]() | K9GAG08UOD-PCBO | K9GAG08UOD-PCBO SAMSUNG SMD or Through Hole | K9GAG08UOD-PCBO.pdf |