창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NE5531079A-A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NE5531079A RF Wireless Brochure | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | CEL | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 460MHz | |
| 이득 | - | |
| 전압 - 테스트 | 7.5V | |
| 정격 전류 | 3A | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 200mA | |
| 전력 - 출력 | 40dBm | |
| 전압 - 정격 | 30V | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 79A | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NE5531079A-A | |
| 관련 링크 | NE55310, NE5531079A-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 | |
![]() | SR212A8R2CAR | 8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR212A8R2CAR.pdf | |
![]() | 416F38435CTT | 38.4MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38435CTT.pdf | |
![]() | NRS8030T150MJGJV | 15µH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 78 mOhm Max Nonstandard | NRS8030T150MJGJV.pdf | |
![]() | 1025R-58J | 39µH Unshielded Molded Inductor 125mA 3.6 Ohm Max Axial | 1025R-58J.pdf | |
![]() | PC123P | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | PC123P.pdf | |
![]() | 2SC1072A | 2SC1072A NEC CAN3 | 2SC1072A.pdf | |
![]() | 12.00M-HC49 | 12.00M-HC49 ORIGINAL SMD or Through Hole | 12.00M-HC49.pdf | |
![]() | 1786857 | 1786857 PHOENIX SMD or Through Hole | 1786857.pdf | |
![]() | MC6367DR2 | MC6367DR2 MOT SOP8 | MC6367DR2.pdf | |
![]() | M74HC7266B1R | M74HC7266B1R STM SMD or Through Hole | M74HC7266B1R.pdf | |
![]() | PIC16F628-1/SO | PIC16F628-1/SO ORIGINAL DIP | PIC16F628-1/SO.pdf | |
![]() | 6N138WV | 6N138WV FAIRCHILD DIP-8 | 6N138WV.pdf |