창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NE3509M04-A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NE3509M04 RF Wireless Brochure | |
PCN 설계/사양 | Wafer Fab Chg 08/Jan/2016 | |
카탈로그 페이지 | 541 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF FET | |
제조업체 | CEL | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | HFET | |
주파수 | 2GHz | |
이득 | 17.5dB | |
전압 - 테스트 | 2V | |
정격 전류 | 60mA | |
잡음 지수 | 0.4dB | |
전류 - 테스트 | 10mA | |
전력 - 출력 | 11dBm | |
전압 - 정격 | 4V | |
패키지/케이스 | SOT-343F | |
공급 장치 패키지 | M04 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | NE3509M04A | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NE3509M04-A | |
관련 링크 | NE3509, NE3509M04-A 데이터 시트, CEL 에이전트 유통 |
![]() | W2A41A101JAT2A | 100pF Isolated Capacitor 4 Array 100V C0G, NP0 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A41A101JAT2A.pdf | |
![]() | LD061A561JAB2A | 560pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD061A561JAB2A.pdf | |
![]() | 416F440X2CTT | 44MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X2CTT.pdf | |
![]() | 8550DL | 8550DL ORIGINAL TO-92 | 8550DL.pdf | |
![]() | 09397712DE843717M3308 | 09397712DE843717M3308 SMD 1TH1ZOX-3 | 09397712DE843717M3308.pdf | |
![]() | BH3P-VH-1(LF)(SN) | BH3P-VH-1(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | BH3P-VH-1(LF)(SN).pdf | |
![]() | GN1K | GN1K EIC SMADO-214AC | GN1K.pdf | |
![]() | KS57C0002-71 | KS57C0002-71 SAMSUNG DIP30 | KS57C0002-71.pdf | |
![]() | 53003HEB-5 | 53003HEB-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 53003HEB-5.pdf | |
![]() | 5962R8551401VHA | 5962R8551401VHA ANALOG MIL | 5962R8551401VHA.pdf | |
![]() | SIT8103AI-12-33E-18.43200T | SIT8103AI-12-33E-18.43200T SITIME SMD or Through Hole | SIT8103AI-12-33E-18.43200T.pdf |