창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS356AP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDS356AP Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.1A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | NDS356APTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDS356AP | |
관련 링크 | NDS3, NDS356AP 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
AVR-M1608C080MTAAB | VARISTOR 8V 30A 0603 | AVR-M1608C080MTAAB.pdf | ||
TCMT1109 | Optoisolator Transistor Output 3750Vrms 1 Channel 4-SOP | TCMT1109.pdf | ||
MBB02070C5601DC100 | RES 5.6K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C5601DC100.pdf | ||
B72232E0602R001 | B72232E0602R001 EPO SMD or Through Hole | B72232E0602R001.pdf | ||
MMBTH10 3EM | MMBTH10 3EM ORIGINAL SOT-23 | MMBTH10 3EM.pdf | ||
I7032-EN | I7032-EN ICREATE QFN-24P | I7032-EN.pdf | ||
EXBD10C510J | EXBD10C510J PAN RES | EXBD10C510J.pdf | ||
NL252018T3R3J | NL252018T3R3J tdk SMD or Through Hole | NL252018T3R3J.pdf | ||
LTC2634HMSE-LMI10 | LTC2634HMSE-LMI10 LT SMD or Through Hole | LTC2634HMSE-LMI10.pdf | ||
50LSQ8200M36X50 | 50LSQ8200M36X50 RUBYCON DIP | 50LSQ8200M36X50.pdf | ||
9-1437020-4 | 9-1437020-4 TEConnectivity SMD or Through Hole | 9-1437020-4.pdf |