창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDS355N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDS355N Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 07/Dec/2007 Mold Compound 08/April/2008 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1597 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 1.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 245pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 460mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SuperSOT-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | NDS355NCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDS355N | |
관련 링크 | NDS3, NDS355N 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
GCM0335C1E560JD03D | 56pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GCM0335C1E560JD03D.pdf | ||
SB3100E-G | DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO201AD | SB3100E-G.pdf | ||
SPP11N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | SPP11N60C3XKSA1.pdf | ||
ATC600F330JT250X | ATC600F330JT250X ATC SMD | ATC600F330JT250X.pdf | ||
EM78P163NSO14J | EM78P163NSO14J ELAN SMD or Through Hole | EM78P163NSO14J.pdf | ||
940-F4X-2D-001-180E | 940-F4X-2D-001-180E HONEYWELL SMD or Through Hole | 940-F4X-2D-001-180E.pdf | ||
T495X227K010ATE070 | T495X227K010ATE070 KEMET SMD or Through Hole | T495X227K010ATE070.pdf | ||
MAX207ENG | MAX207ENG MAXIM DIP | MAX207ENG.pdf | ||
SM1124-AAS-ET | SM1124-AAS-ET NPC SOP-8 | SM1124-AAS-ET.pdf | ||
UMA1021M-C02 | UMA1021M-C02 PHI SSOP 20 | UMA1021M-C02.pdf | ||
AD7502JN/+ | AD7502JN/+ AD DIP | AD7502JN/+.pdf |