창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDF10N60ZG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDx10N60ZG,H | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | NDF10N60ZG-ND NDF10N60ZGOS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDF10N60ZG | |
관련 링크 | NDF10N, NDF10N60ZG 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MKP385327016JBM2B0 | 0.027µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385327016JBM2B0.pdf | |
![]() | LQH66SN470M03L | 47µH Shielded Wirewound Inductor 760mA 238 mOhm Max Nonstandard | LQH66SN470M03L.pdf | |
![]() | CMF5547K000BERE70 | RES 47K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5547K000BERE70.pdf | |
![]() | Y07856K80000A0L | RES 6.8K OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y07856K80000A0L.pdf | |
![]() | EEE1EA4R7NR | EEE1EA4R7NR PANASONIC SMD | EEE1EA4R7NR.pdf | |
![]() | 30L30CTS | 30L30CTS IR TO | 30L30CTS.pdf | |
![]() | AM27C25670JC | AM27C25670JC AMD SMD or Through Hole | AM27C25670JC.pdf | |
![]() | ADM809RAR | ADM809RAR AD SMD or Through Hole | ADM809RAR.pdf | |
![]() | HCC01 | HCC01 AMIS SSOP16 | HCC01.pdf | |
![]() | E-L4992 | E-L4992 STM QFN16 | E-L4992.pdf | |
![]() | HK16081N5J-T | HK16081N5J-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | HK16081N5J-T.pdf | |
![]() | 29PL64LM-90 | 29PL64LM-90 ORIGINAL BGA | 29PL64LM-90.pdf |