창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDF04N60ZH | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDx04N60Z | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 25/Sep/2014 Assembly/Test Site Revision 12/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 50µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | NDF04N60ZH-ND NDF04N60ZHOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDF04N60ZH | |
| 관련 링크 | NDF04N, NDF04N60ZH 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R2BXCAJ | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R2BXCAJ.pdf | |
![]() | CMF5515R000FKEB | RES 15 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5515R000FKEB.pdf | |
![]() | CS536L32AKZ | CS536L32AKZ CS TSSOP | CS536L32AKZ.pdf | |
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![]() | MCF52100CAE66 | MCF52100CAE66 FreescaleSemiconduct SMD or Through Hole | MCF52100CAE66.pdf | |
![]() | 6N140A/883B 8302401EA | 6N140A/883B 8302401EA HP CDIP16 | 6N140A/883B 8302401EA.pdf | |
![]() | LC7150 | LC7150 SANYO DIP | LC7150.pdf | |
![]() | RS480 215RPA4AKA13HK | RS480 215RPA4AKA13HK ORIGINAL BGA | RS480 215RPA4AKA13HK.pdf | |
![]() | FCA3216K4-201T03 | FCA3216K4-201T03 ORIGINAL SMD or Through Hole | FCA3216K4-201T03.pdf | |
![]() | UC3943BD1R2G | UC3943BD1R2G ON SMD or Through Hole | UC3943BD1R2G.pdf | |
![]() | QFWZ101 | QFWZ101 PHI SMD or Through Hole | QFWZ101.pdf |