창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-NDD60N900U1T4G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | NDD60N900U1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | NDD60N900U1T4G | |
관련 링크 | NDD60N90, NDD60N900U1T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
B43508A2687M67 | 680µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 170 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43508A2687M67.pdf | ||
D470G29C0GL6UJ5R | 47pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | D470G29C0GL6UJ5R.pdf | ||
CXA1665M-T4 | CXA1665M-T4 ORIGINAL SOP | CXA1665M-T4.pdf | ||
TC94B10FG-919 | TC94B10FG-919 TOSHIBA TQFP-80 | TC94B10FG-919.pdf | ||
ESC127M035AG3AA | ESC127M035AG3AA ARCOTRNI DIP-2 | ESC127M035AG3AA.pdf | ||
PM2024S12 | PM2024S12 LAMBDA SMD or Through Hole | PM2024S12.pdf | ||
DF30CJ-40DP-0.4V 82 | DF30CJ-40DP-0.4V 82 HRS SMD or Through Hole | DF30CJ-40DP-0.4V 82.pdf | ||
HMMC-5026 | HMMC-5026 AVAGO ML-GaAS ATTEN CHIP | HMMC-5026.pdf | ||
MC68LC90002PU16CT | MC68LC90002PU16CT FREESCALE SMD or Through Hole | MC68LC90002PU16CT.pdf | ||
1SV213-T5 | 1SV213-T5 NEC SOD323 | 1SV213-T5.pdf | ||
DH90CF364MTB | DH90CF364MTB SMD SMD or Through Hole | DH90CF364MTB.pdf |