창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NDD02N40-1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | NDD02N40, NDT02N40 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5옴 @ 220mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 121pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 39W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | NDD02N40-1G-ND NDD02N40-1GOS | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NDD02N40-1G | |
| 관련 링크 | NDD02N, NDD02N40-1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 1008R-272K | 2.7µH Unshielded Inductor 413mA 880 mOhm Max 2-SMD | 1008R-272K.pdf | |
![]() | RT0805BRC07620RL | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRC07620RL.pdf | |
![]() | 4609X-101-106LF | RES ARRAY 8 RES 10M OHM 9SIP | 4609X-101-106LF.pdf | |
![]() | MB87F4192 | MB87F4192 FUJI QFP | MB87F4192.pdf | |
![]() | E2G-M12KS02-WP-B1 | E2G-M12KS02-WP-B1 OMRON SMD or Through Hole | E2G-M12KS02-WP-B1.pdf | |
![]() | 70236AGJ | 70236AGJ NEC QFP | 70236AGJ.pdf | |
![]() | LPC660IM/NOPB | LPC660IM/NOPB NSC SMD or Through Hole | LPC660IM/NOPB.pdf | |
![]() | XC705KCP | XC705KCP MOT DIP16 | XC705KCP.pdf | |
![]() | GRM219F51C105ZA01K | GRM219F51C105ZA01K MURATA SMD or Through Hole | GRM219F51C105ZA01K.pdf | |
![]() | 7112-35R-H | 7112-35R-H WE-MIDCOM SOP16 | 7112-35R-H.pdf | |
![]() | NP22N055IHE-E1-AY | NP22N055IHE-E1-AY NEC/RENESAS SOT-252 | NP22N055IHE-E1-AY.pdf | |
![]() | ESXE500ELL122ML35S | ESXE500ELL122ML35S NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | ESXE500ELL122ML35S.pdf |