창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-NCP692MN25T2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | NCP692MN25T2G | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | Original | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | NCP692MN25T2G | |
관련 링크 | NCP692M, NCP692MN25T2G 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | RL 2ZV | DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL | RL 2ZV.pdf | |
![]() | S0402-22NH2C | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 350 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-22NH2C.pdf | |
![]() | ATT-0218-05-NNN-02 | RF Attenuator 5dB ±0.3dB 0Hz ~ 12.4GHz 50 Ohm 2W N-Type In-Line Module | ATT-0218-05-NNN-02.pdf | |
![]() | M3650-16B-8I02R | M3650-16B-8I02R ORIGINAL SMD or Through Hole | M3650-16B-8I02R.pdf | |
![]() | K3N5C1DJ4D-GC09T00(K3N5C1000D-G10) | K3N5C1DJ4D-GC09T00(K3N5C1000D-G10) SAMSUNG SMD | K3N5C1DJ4D-GC09T00(K3N5C1000D-G10).pdf | |
![]() | B1064 | B1064 ROHM SMD or Through Hole | B1064.pdf | |
![]() | B0S-0603-1WD-T4 | B0S-0603-1WD-T4 BYD SMD or Through Hole | B0S-0603-1WD-T4.pdf | |
![]() | C4570C/JM | C4570C/JM NEC DIP | C4570C/JM.pdf | |
![]() | SN74HC244AN | SN74HC244AN TI DIP | SN74HC244AN.pdf | |
![]() | IDT70261L25PE | IDT70261L25PE IDT QFP | IDT70261L25PE.pdf | |
![]() | MP1906P-4AS | MP1906P-4AS ORIGINAL SMD or Through Hole | MP1906P-4AS.pdf | |
![]() | Q69580-T0350-K062 | Q69580-T0350-K062 EPCOS SMD or Through Hole | Q69580-T0350-K062.pdf |