창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NCP585DSN12JT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | NCP585DSN12JT1G | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SOT-23-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | NCP585DSN12JT1G | |
| 관련 링크 | NCP585DSN, NCP585DSN12JT1G 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | 12065A2R7CAT2A | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A2R7CAT2A.pdf | |
![]() | MKP383547063JPM2T0 | 4.7µF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383547063JPM2T0.pdf | |
![]() | 520M20HA19M2000 | 19.2MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | 520M20HA19M2000.pdf | |
![]() | CDRH8D28HPNP-100NC | 10µH Shielded Inductor 2.1A 78 mOhm Max Nonstandard | CDRH8D28HPNP-100NC.pdf | |
![]() | CRCW1210220RFKEAHP | RES SMD 220 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW1210220RFKEAHP.pdf | |
![]() | KMM5362203BWG- | KMM5362203BWG- Samsung DRAM | KMM5362203BWG-.pdf | |
![]() | LXT9784BC A3 | LXT9784BC A3 INTEL BGA | LXT9784BC A3.pdf | |
![]() | AO4815L | AO4815L AOSMD SOP-8 | AO4815L.pdf | |
![]() | X15.47 | X15.47 FREE SMD or Through Hole | X15.47.pdf | |
![]() | 5962-8983903RA(GAL16V8D-10LD) | 5962-8983903RA(GAL16V8D-10LD) LATTICE CDIP | 5962-8983903RA(GAL16V8D-10LD).pdf | |
![]() | PC3SH21YIPBF | PC3SH21YIPBF SHARP DIPSOP | PC3SH21YIPBF.pdf | |
![]() | ZTK18-TAP | ZTK18-TAP VISHAY DO35 | ZTK18-TAP.pdf |