창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-N1983CH18-22 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | N1983CH18-22 | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | N1983CH18-22 | |
관련 링크 | N1983CH, N1983CH18-22 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | B32672P5154K | 0.15µF Film Capacitor 200V 520V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | B32672P5154K.pdf | |
![]() | CDRH125/LDNP-181MC | 180µH Shielded Inductor 1.14A 335 mOhm Max Nonstandard | CDRH125/LDNP-181MC.pdf | |
![]() | ERA-3AEB821V | RES SMD 820 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB821V.pdf | |
![]() | 34AA02T-I/SN | 34AA02T-I/SN MICROCHIP SOIC150mil | 34AA02T-I/SN.pdf | |
![]() | QMV123BW1 | QMV123BW1 QMV DIP | QMV123BW1.pdf | |
![]() | MDR603C | MDR603C TOSHIBA SMD or Through Hole | MDR603C.pdf | |
![]() | SI400 | SI400 PHI SOP-8 | SI400.pdf | |
![]() | CN2B4TE510J(51R) | CN2B4TE510J(51R) KOA 1206x4 | CN2B4TE510J(51R).pdf | |
![]() | FS14KM-9 | FS14KM-9 MIT TO-220F | FS14KM-9.pdf | |
![]() | EL5410CRZ-T7 | EL5410CRZ-T7 ElantecSemiconduc SMD or Through Hole | EL5410CRZ-T7.pdf | |
![]() | CSNT651-600 | CSNT651-600 HONEYWEL SMD or Through Hole | CSNT651-600.pdf | |
![]() | BF998 / MO | BF998 / MO SM SOT143 | BF998 / MO.pdf |