창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-N10E-ES-A1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | N10E-ES-A1 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | BGA | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | N10E-ES-A1 | |
| 관련 링크 | N10E-E, N10E-ES-A1 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | E74D6R3LPN313MA48N | 31000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 13 mOhm | E74D6R3LPN313MA48N.pdf | |
![]() | 593D227X06R3D2TE3 | 220µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 593D227X06R3D2TE3.pdf | |
![]() | CTX200-3P-R | Unshielded 2 Coil Inductor Array 800.38µH Inductance - Connected in Series 200.1µH Inductance - Connected in Parallel 731 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 600mA Nonstandard | CTX200-3P-R.pdf | |
![]() | ADS1281IPW | ADS1281IPW TI TSSOP-24 | ADS1281IPW.pdf | |
![]() | 1SSS352 | 1SSS352 TOSHIBA SOD-323 | 1SSS352.pdf | |
![]() | ADR3430ARJZ-R7 | ADR3430ARJZ-R7 ANALOGDEVICES SMD or Through Hole | ADR3430ARJZ-R7.pdf | |
![]() | TR3D106M050C0450(293D106X0050D2TE3) | TR3D106M050C0450(293D106X0050D2TE3) VISHAY SMD or Through Hole | TR3D106M050C0450(293D106X0050D2TE3).pdf | |
![]() | TBC1000 | TBC1000 Hosiden SMD or Through Hole | TBC1000.pdf | |
![]() | M88X2040-NBAN | M88X2040-NBAN M BGA | M88X2040-NBAN.pdf | |
![]() | ARC68A-C14 | ARC68A-C14 PDT SMD or Through Hole | ARC68A-C14.pdf | |
![]() | C0603C109C5GAC7867 | C0603C109C5GAC7867 KEMET SMD or Through Hole | C0603C109C5GAC7867.pdf | |
![]() | DISV2.1 | DISV2.1 PHI TSOP28 | DISV2.1.pdf |