창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MXO45HST-3I-23M5200 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MXO45(T,HS,HST) Series Datasheet | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | CTS-Frequency Controls | |
계열 | MXO45HXT | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | XO(표준) | |
주파수 | 23.52MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | HCMOS, TTL | |
전압 - 공급 | 5V | |
주파수 안정도 | ±50ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 40mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
크기/치수 | 0.520" L x 0.520" W(13.20mm x 13.20mm) | |
높이 | 0.250"(6.35mm) | |
패키지/케이스 | 8-DIP, 4 리드(하프사이즈, 금속 캔) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | MXO45HST-3I-23.5200MHZ | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MXO45HST-3I-23M5200 | |
관련 링크 | MXO45HST-3I, MXO45HST-3I-23M5200 데이터 시트, Tusonix a Subsidiary of CTS Electronic Components 에이전트 유통 |
![]() | CGA3E2X8R1H222K080AA | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X8R1H222K080AA.pdf | |
![]() | RFCS04023000DBTT1 | 0.30pF Silicon Capacitor 50V 0402 (1005 Metric) 0.040" L x 0.020" W (1.02mm x 0.51mm) | RFCS04023000DBTT1.pdf | |
![]() | B380C1000G-E4/51 | DIODE BRIDGE 1A 600V WOG | B380C1000G-E4/51.pdf | |
![]() | RC0805JR-078K2L | RES SMD 8.2K OHM 5% 1/8W 0805 | RC0805JR-078K2L.pdf | |
![]() | FR24D15/50A | FR24D15/50A CSF DIP | FR24D15/50A.pdf | |
![]() | C5750JB1E106M020U | C5750JB1E106M020U TDK SMD | C5750JB1E106M020U.pdf | |
![]() | 2SC114-M | 2SC114-M KEC TO-92S | 2SC114-M.pdf | |
![]() | V15H16-CZ300A05-K | V15H16-CZ300A05-K Honeywell SMD or Through Hole | V15H16-CZ300A05-K.pdf | |
![]() | G6CU-2114P-US-5VDC | G6CU-2114P-US-5VDC OMRON DIP | G6CU-2114P-US-5VDC.pdf | |
![]() | CL21B104KBCNNNNC | CL21B104KBCNNNNC SAMSUNG SMD or Through Hole | CL21B104KBCNNNNC.pdf | |
![]() | WM8742SEDS/RV | WM8742SEDS/RV IC IC | WM8742SEDS/RV.pdf |