창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURTA200120R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURTA20060 thru MURTA200120R | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 1200V(1.2kV) | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 2.6V @ 100A | |
| 속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 1200V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 18 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURTA200120R | |
| 관련 링크 | MURTA20, MURTA200120R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | IMC1210SY68NM | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 360 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210SY68NM.pdf | |
![]() | AFT752R4GN | AFT752R4GN APT SMD or Through Hole | AFT752R4GN.pdf | |
![]() | SMBZ10-6LT3 | SMBZ10-6LT3 ONS Call | SMBZ10-6LT3.pdf | |
![]() | IR3E3146 | IR3E3146 SHARP QFN | IR3E3146.pdf | |
![]() | FGP30N6S2 | FGP30N6S2 FAIRCHILD TO220 | FGP30N6S2.pdf | |
![]() | CY62146EV30LL-45ZXSI | CY62146EV30LL-45ZXSI CY tsop | CY62146EV30LL-45ZXSI.pdf | |
![]() | HGTP15N50E1 | HGTP15N50E1 Intersil SMD or Through Hole | HGTP15N50E1.pdf | |
![]() | LM2941K/883C | LM2941K/883C ORIGINAL SMD or Through Hole | LM2941K/883C.pdf | |
![]() | 1-747872-6 | 1-747872-6 Tyco SMD or Through Hole | 1-747872-6.pdf | |
![]() | W19B323MTT9G | W19B323MTT9G WINBIND TSSOP | W19B323MTT9G.pdf | |
![]() | EPM1C12F256 | EPM1C12F256 ORIGINAL PBGA | EPM1C12F256.pdf | |
![]() | KSP42ATA | KSP42ATA FAIRCHILD TO-92 | KSP42ATA.pdf |