창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MURT20040R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MURT20040 thru 20060R Three Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.35V @ 100A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 3 타워형 | |
| 공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MURT20040RGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MURT20040R | |
| 관련 링크 | MURT20, MURT20040R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DR127-6R8-R | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 7.34A 11.6 mOhm Nonstandard | DR127-6R8-R.pdf | |
![]() | ASPI-0315FS-330M-T2 | 33µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 650 mOhm Nonstandard | ASPI-0315FS-330M-T2.pdf | |
![]() | CPL15R0300JE14 | RES 0.03 OHM 15W 5% AXIAL | CPL15R0300JE14.pdf | |
![]() | E2E-C04N03-WC-C2-R 2M | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) IP67 Cylinder | E2E-C04N03-WC-C2-R 2M.pdf | |
![]() | EHF1BG1800 | EHF1BG1800 ORIGINAL SMD or Through Hole | EHF1BG1800.pdf | |
![]() | F941C226MNC | F941C226MNC NICHICOM D | F941C226MNC.pdf | |
![]() | ST10005 | ST10005 ST DIP | ST10005.pdf | |
![]() | EXC3BB220H | EXC3BB220H PANASONIC SMD or Through Hole | EXC3BB220H.pdf | |
![]() | IRF730PBF-VI | IRF730PBF-VI VISHAY SMD or Through Hole | IRF730PBF-VI.pdf | |
![]() | OH182/E | OH182/E PH SOT453C | OH182/E.pdf | |
![]() | M751FI | M751FI ORIGINAL CDIP16 | M751FI.pdf | |
![]() | WP90804 | WP90804 IR SMD or Through Hole | WP90804.pdf |