창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MURT10005R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MURT10005 thru 10020R Three Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 50A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 75ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 3 타워형 | |
공급 장치 패키지 | 3 타워형 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MURT10005RGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MURT10005R | |
관련 링크 | MURT10, MURT10005R 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-11-33E-48.000000D | OSC XO 3.3V 48MHZ OE | SIT8008BI-11-33E-48.000000D.pdf | |
![]() | FDMS3610S | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8-MLP | FDMS3610S.pdf | |
![]() | PE-0402CD5N6KTT | 5.6nH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 83 mOhm Max Nonstandard | PE-0402CD5N6KTT.pdf | |
![]() | S34567 | 47µH Unshielded Inductor 3.7A 40 mOhm Max Radial | S34567.pdf | |
![]() | CRCW25129K10FKTG | RES SMD 9.1K OHM 1% 1W 2512 | CRCW25129K10FKTG.pdf | |
![]() | S3078TB | S3078TB AMCC QFP | S3078TB.pdf | |
![]() | QMV729 | QMV729 NORTEL PLCC44 | QMV729.pdf | |
![]() | LP2996G | LP2996G NS SOP-8 | LP2996G.pdf | |
![]() | BUF06703PWR | BUF06703PWR TI/BB TSSOP14 | BUF06703PWR.pdf | |
![]() | 18.0246MHZ | 18.0246MHZ N/A DIP-4P | 18.0246MHZ.pdf | |
![]() | BIK | BIK NPE SMD | BIK.pdf | |
![]() | SAF-XE167H-48F66L AC | SAF-XE167H-48F66L AC Infineon NA | SAF-XE167H-48F66L AC.pdf |