창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MURS120-13-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MURS120 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1592 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 875mV @ 1A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 25ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 200V | |
정전 용량 @ Vr, F | 27pF @ 4V, 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MURS120-FDITR MURS12013F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MURS120-13-F | |
관련 링크 | MURS120, MURS120-13-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 445W25A20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25A20M00000.pdf | |
![]() | TNPW060369K8BEEN | RES SMD 69.8KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060369K8BEEN.pdf | |
![]() | MBB02070D4373DC100 | RES 437K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070D4373DC100.pdf | |
![]() | PAL10L8NC | PAL10L8NC NS DIP20 | PAL10L8NC.pdf | |
![]() | KLB-16AI-94 | KLB-16AI-94 ORIGINAL DIP | KLB-16AI-94.pdf | |
![]() | VT82C495-4L | VT82C495-4L VT QFP 120 | VT82C495-4L.pdf | |
![]() | RD75E-AZ/JM | RD75E-AZ/JM NEC N A | RD75E-AZ/JM.pdf | |
![]() | ADM6320 TEL:82766440 | ADM6320 TEL:82766440 AD SOT23-5 | ADM6320 TEL:82766440.pdf | |
![]() | 1N6710 | 1N6710 MICROSEMI SMD | 1N6710.pdf | |
![]() | RN50E1001B | RN50E1001B VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RN50E1001B.pdf | |
![]() | PIC16C433-I/P | PIC16C433-I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC16C433-I/P.pdf | |
![]() | MM2114J3 | MM2114J3 NS CDIP | MM2114J3.pdf |