창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR40060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR40040CT thru 40060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 180ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR40060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR40060CTR | |
| 관련 링크 | MUR400, MUR40060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | T86D157M6R3EBAS | 150µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D157M6R3EBAS.pdf | |
![]() | AIMC-0402HQ-9N1H-T | 9.1nH Unshielded Multilayer Inductor 500mA 180 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | AIMC-0402HQ-9N1H-T.pdf | |
![]() | 49M333-0035 | 49M333-0035 Epcos TSOP40 | 49M333-0035.pdf | |
![]() | LM6164E/883 | LM6164E/883 NationalSemicondu SMD or Through Hole | LM6164E/883.pdf | |
![]() | 1SS387FN2 | 1SS387FN2 PANJIT DFN2L | 1SS387FN2.pdf | |
![]() | TLC2201AMFKB 5962-9088203Q2A | TLC2201AMFKB 5962-9088203Q2A TI SMD or Through Hole | TLC2201AMFKB 5962-9088203Q2A.pdf | |
![]() | A3280LLH-T | A3280LLH-T ALLEGRO SOT23W | A3280LLH-T.pdf | |
![]() | HGT1S15N120C3S | HGT1S15N120C3S HAR Call | HGT1S15N120C3S.pdf | |
![]() | C7705Q | C7705Q TI SOP8 | C7705Q.pdf | |
![]() | VH35R2V333K-TS | VH35R2V333K-TS MARUWA 1206 | VH35R2V333K-TS.pdf | |
![]() | PA/FITA/99-1 | PA/FITA/99-1 PHI QFP44 | PA/FITA/99-1.pdf |