창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR40040CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR40040CT thru 40060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 150ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR40040CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR40040CTR | |
| 관련 링크 | MUR400, MUR40040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
|  | C0603C0G1H160J | 16pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603C0G1H160J.pdf | |
|  | CSA2K-E3/I | DIODE GPP 2A 800V DO-214AC SMA | CSA2K-E3/I.pdf | |
| .jpg) | RT1206CRE0716RL | RES SMD 16 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0716RL.pdf | |
|  | OL3325E-R52 | RES 3.3K OHM 1/2W 5% AXIAL | OL3325E-R52.pdf | |
|  | T510V476K010AS | T510V476K010AS KEMET SMD or Through Hole | T510V476K010AS.pdf | |
|  | 2SK3510 | 2SK3510 NEC SMD or Through Hole | 2SK3510.pdf | |
|  | MAX690EPA/CPA | MAX690EPA/CPA MAXIM DIP | MAX690EPA/CPA.pdf | |
|  | S3AT/R | S3AT/R PANJIT SMCDO-214AB | S3AT/R.pdf | |
|  | ALC275S | ALC275S REALTEK QFN | ALC275S.pdf | |
|  | 766141103G | 766141103G STS SOP-14P | 766141103G.pdf | |
|  | LHDM010401DYBV0E | LHDM010401DYBV0E NIPPON DIP | LHDM010401DYBV0E.pdf | |
|  | R3005300L | R3005300L RFMD SMD or Through Hole | R3005300L.pdf |