창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR40040CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR40040CT thru 40060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 400V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 150ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR40040CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR40040CTR | |
관련 링크 | MUR400, MUR40040CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
PLY10AN9012R0R2B | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 190 mOhm | PLY10AN9012R0R2B.pdf | ||
![]() | V29C51002T | V29C51002T AD DIP | V29C51002T.pdf | |
![]() | LA1260 DIP | LA1260 DIP ORIGINAL DIP | LA1260 DIP.pdf | |
![]() | R0402TJ6M2 | R0402TJ6M2 ORIGINAL RALEC | R0402TJ6M2.pdf | |
![]() | TA31165CFL(EB) | TA31165CFL(EB) ORIGINAL QFN | TA31165CFL(EB).pdf | |
![]() | MC34063ADRG4 | MC34063ADRG4 TI SOP8 | MC34063ADRG4 .pdf | |
![]() | MIC5204 | MIC5204 MICREL TO-223 | MIC5204.pdf | |
![]() | 26.880MHZ | 26.880MHZ INTERQUIP/ SMD or Through Hole | 26.880MHZ.pdf | |
![]() | HP3250 | HP3250 SOP HP | HP3250.pdf | |
![]() | AK8114 | AK8114 AKM SMD or Through Hole | AK8114.pdf | |
![]() | CX-49F(8000.000KHZ) | CX-49F(8000.000KHZ) KYOCERA SMD | CX-49F(8000.000KHZ).pdf | |
![]() | SAL-O=953564P18 | SAL-O=953564P18 EXABYTE PLCC | SAL-O=953564P18.pdf |