창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR40020CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR40005CT thru 40020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 90ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR40020CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR40020CTR | |
| 관련 링크 | MUR400, MUR40020CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG3216V-1151-D-T5 | RES SMD 1.15K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216V-1151-D-T5.pdf | |
| MOX-5N-131007JE | RES 1G OHM 6W 5% AXIAL | MOX-5N-131007JE.pdf | ||
![]() | CMF555K6200FHBF | RES 5.62K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF555K6200FHBF.pdf | |
![]() | BD1722N5050A00 | BD1722N5050A00 ANAREN SMD or Through Hole | BD1722N5050A00.pdf | |
![]() | GL1117-3.3ST3T | GL1117-3.3ST3T Gleam SOT223 | GL1117-3.3ST3T.pdf | |
![]() | HT25014-4 | HT25014-4 N/A BGA | HT25014-4.pdf | |
![]() | RK73N2BTTD100P | RK73N2BTTD100P KOA SMD or Through Hole | RK73N2BTTD100P.pdf | |
![]() | DBS159G | DBS159G TSC SOP-4 | DBS159G.pdf | |
![]() | BPR38CR10J | BPR38CR10J KOA SMD or Through Hole | BPR38CR10J.pdf | |
![]() | 1N5916 | 1N5916 MDD/ DO-15 | 1N5916.pdf | |
![]() | ncp1012ap | ncp1012ap ORIGINAL dip | ncp1012ap.pdf | |
![]() | 1SMA12AT3H | 1SMA12AT3H ON SMD or Through Hole | 1SMA12AT3H.pdf |