창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR40005CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR40005CT thru 40020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 400A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 125A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 90ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR40005CTGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR40005CT | |
관련 링크 | MUR400, MUR40005CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
416F500X3ATR | 50MHz ±15ppm 수정 6pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F500X3ATR.pdf | ||
BLF6G20-110 112 | BLF6G20-110 112 NXP SMD DIP | BLF6G20-110 112.pdf | ||
BT8370EHF | BT8370EHF CONEXANT PQFP | BT8370EHF.pdf | ||
26FLT-SM2-TB(Z) | 26FLT-SM2-TB(Z) JST SMD or Through Hole | 26FLT-SM2-TB(Z).pdf | ||
ISPLSI5512VE155LF256-125I | ISPLSI5512VE155LF256-125I Lattice BGA | ISPLSI5512VE155LF256-125I.pdf | ||
RS-0838 | RS-0838 VISION SMD | RS-0838.pdf | ||
215GNA4AKA21HK (RX480) | 215GNA4AKA21HK (RX480) ATi BGA | 215GNA4AKA21HK (RX480).pdf | ||
MT46V16M16P-5B:K/TR | MT46V16M16P-5B:K/TR MICRON SMD or Through Hole | MT46V16M16P-5B:K/TR.pdf | ||
1N1423 | 1N1423 Microsemi DO-4 | 1N1423.pdf | ||
779V-30-9K | 779V-30-9K OKI SMD or Through Hole | 779V-30-9K.pdf | ||
XC09-038PKC-R | XC09-038PKC-R DigiInternational module | XC09-038PKC-R.pdf |