창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR20060CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 50A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 110ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | MUR20060CTRGN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR20060CTR | |
관련 링크 | MUR200, MUR20060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
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![]() | Y09602R08100B9L | RES 2.081 OHM 10W 0.1% RADIAL | Y09602R08100B9L.pdf | |
![]() | EL4421ES | EL4421ES EL SMD8 | EL4421ES.pdf | |
![]() | FV2-M4-TOR | FV2-M4-TOR JST SMD or Through Hole | FV2-M4-TOR.pdf | |
![]() | A46506 | A46506 ORIGINAL SOP8 | A46506.pdf | |
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![]() | MC68H908JK3E | MC68H908JK3E FREESCALE SOP20 | MC68H908JK3E.pdf | |
![]() | AM26LS32DE | AM26LS32DE AMD DIP | AM26LS32DE.pdf | |
![]() | SRF836VCBTB12R | SRF836VCBTB12R TOSHIBA SMD or Through Hole | SRF836VCBTB12R.pdf | |
![]() | BZW06-33-AMP | BZW06-33-AMP FAGOR Call | BZW06-33-AMP.pdf | |
![]() | RT3PRRMT1111 | RT3PRRMT1111 ISAHAYA SMD or Through Hole | RT3PRRMT1111.pdf |