창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20060CTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 110ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20060CTRGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20060CTR | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20060CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | F1100E-160 | F1100E-160 FOXELECTRONICS SMD or Through Hole | F1100E-160.pdf | |
![]() | MPC860TZQ52D4 | MPC860TZQ52D4 Freescal BGA256 | MPC860TZQ52D4.pdf | |
![]() | LT1021-5 | LT1021-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | LT1021-5.pdf | |
![]() | TA31186FNG | TA31186FNG TOSHIBA TSSOP | TA31186FNG.pdf | |
![]() | AIC-5800AP | AIC-5800AP ADAPTEC QFP | AIC-5800AP.pdf | |
![]() | 54S32L2M | 54S32L2M NSC Call | 54S32L2M.pdf | |
![]() | TL064MFK | TL064MFK TIS Call | TL064MFK.pdf | |
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![]() | LT5502EUF | LT5502EUF LINEAR QFN-16 | LT5502EUF.pdf | |
![]() | LP3874ES-2.5/NOPB | LP3874ES-2.5/NOPB NSC SMD or Through Hole | LP3874ES-2.5/NOPB.pdf | |
![]() | MX7535JCWI | MX7535JCWI MAX Call | MX7535JCWI.pdf | |
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