창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUR20060CT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUR20040CT thru 20060CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
| 제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 구성 | 공통 음극 1쌍 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 600V | |
| 전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.7V @ 50A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 110ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
| 공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | MUR20060CTGN | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUR20060CT | |
| 관련 링크 | MUR200, MUR20060CT 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-HC735R-4.608 | 4.608MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC735R-4.608.pdf | |
![]() | 5500-223K | 22µH Unshielded Inductor 6.43A 24 mOhm Max 2-SMD | 5500-223K.pdf | |
![]() | 2534-70H | 82mH Unshielded Molded Inductor 16.6mA 605 Ohm Max Radial | 2534-70H.pdf | |
![]() | FC3583 R35 | FC3583 R35 FC SC-59 | FC3583 R35.pdf | |
![]() | E16/8/5-3C92 | E16/8/5-3C92 FERROX SMD or Through Hole | E16/8/5-3C92.pdf | |
![]() | MT48H16M16LFB8-10 | MT48H16M16LFB8-10 micron FBGA | MT48H16M16LFB8-10.pdf | |
![]() | W113SRSGWT | W113SRSGWT ORIGINAL ROHS | W113SRSGWT.pdf | |
![]() | 120NQ045R | 120NQ045R IR SMD or Through Hole | 120NQ045R.pdf | |
![]() | MJ4501G | MJ4501G ON TO-3 | MJ4501G.pdf | |
![]() | HY5DU561622FTP-D43DR-C | HY5DU561622FTP-D43DR-C HYNIX SMD or Through Hole | HY5DU561622FTP-D43DR-C.pdf | |
![]() | TS2505-4 | TS2505-4 ORIGINAL DIP | TS2505-4.pdf | |
![]() | LM1117(A1117ADR-12) | LM1117(A1117ADR-12) AIT TO-252 | LM1117(A1117ADR-12).pdf |