창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUR20010CTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUR20005CT thru MUR20020CTR Twin Tower Pkg Drawing | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | GeneSiC Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 공통 양극 1쌍 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 100V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 200A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 100A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | 75ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 25µA @ 50V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 트윈 타워 | |
공급 장치 패키지 | 트윈 타워 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | 1242-1033 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUR20010CTR | |
관련 링크 | MUR200, MUR20010CTR 데이터 시트, GeneSiC Semiconductor 에이전트 유통 |
416F250X3IKR | 25MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F250X3IKR.pdf | ||
573 03 500 68 | COMMON MODE CHOKES | 573 03 500 68.pdf | ||
20W256 | 20W256 NEC CAN3 | 20W256.pdf | ||
ID8251B | ID8251B AMD CDIP | ID8251B.pdf | ||
ATS177WLA | ATS177WLA Anachip SOT-23 | ATS177WLA.pdf | ||
AGR18030EF | AGR18030EF AGERE SMD or Through Hole | AGR18030EF.pdf | ||
IMP706RCES | IMP706RCES IMP SMD or Through Hole | IMP706RCES.pdf | ||
ECQE2104KS | ECQE2104KS PAN DIP | ECQE2104KS.pdf | ||
4MCP100RA060 | 4MCP100RA060 FUJI SMD or Through Hole | 4MCP100RA060.pdf | ||
LU4S041BLF | LU4S041BLF LB RJ45 | LU4S041BLF.pdf | ||
TZX51 | TZX51 VISHAY DO-35 | TZX51.pdf |