창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-MUN5313DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN5313DW1, NSBC144EPDxx | |
PCN 설계/사양 | Copper Wire 08/Jun/2009 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 47k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 250mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | MUN5313DW1T1G-ND MUN5313DW1T1GOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | MUN5313DW1T1G | |
관련 링크 | MUN5313, MUN5313DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MAL215054471E3 | 470µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | MAL215054471E3.pdf | |
![]() | PUMD3,125 | TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP | PUMD3,125.pdf | |
![]() | 8P238ACT | 8P238ACT ORIGINAL SMD | 8P238ACT.pdf | |
![]() | H11B3.S | H11B3.S FAIRCHILD SOP-6 | H11B3.S.pdf | |
![]() | CPB6340-0101F | CPB6340-0101F SMK SMD or Through Hole | CPB6340-0101F.pdf | |
![]() | HN1C01FU-GR(T5L | HN1C01FU-GR(T5L TOSHIBA SMD or Through Hole | HN1C01FU-GR(T5L.pdf | |
![]() | 3531116001 | 3531116001 CEHCO SMD or Through Hole | 3531116001.pdf | |
![]() | UPD4528C | UPD4528C NEC DIP | UPD4528C.pdf | |
![]() | KSB601-R | KSB601-R SEC SMD or Through Hole | KSB601-R.pdf | |
![]() | ZMY6V813E4 | ZMY6V813E4 vishay INSTOCKPACK5000 | ZMY6V813E4.pdf | |
![]() | VSB12STB | VSB12STB ORIGINAL DIP SOP | VSB12STB.pdf | |
![]() | MG76C28A-IO | MG76C28A-IO GLODSTAR SMD or Through Hole | MG76C28A-IO.pdf |