창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MUN5112T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUNx112, MMUN2112L, DTA124Exx, NSBA124EF3 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire 29/Oct/2009 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Source Addition 26/Nov/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 22k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 202mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-3(SOT323) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | MUN5112T1G | |
| 관련 링크 | MUN511, MUN5112T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | EEF-SX0G101R | 100µF 4V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 9 mOhm 2000 Hrs @ 105°C | EEF-SX0G101R.pdf | |
![]() | CL10C222JB8NFNC | 2200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C222JB8NFNC.pdf | |
![]() | PS8502L1-V-AX | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 8-DIP | PS8502L1-V-AX.pdf | |
![]() | AWCU | AWCU AME SC70-5 | AWCU.pdf | |
![]() | IRKT500-08 | IRKT500-08 IR SMD or Through Hole | IRKT500-08.pdf | |
![]() | UW1XC330MCR1GB | UW1XC330MCR1GB NICHICON 6.3X5.5 | UW1XC330MCR1GB.pdf | |
![]() | 4213AMQ | 4213AMQ NS CAN | 4213AMQ.pdf | |
![]() | C76498 | C76498 NS DIP16 | C76498.pdf | |
![]() | RDA6210DM | RDA6210DM ORIGINAL SMD or Through Hole | RDA6210DM.pdf | |
![]() | W837891SD | W837891SD Winbond QFP | W837891SD.pdf | |
![]() | WG82567LF S LAW4 | WG82567LF S LAW4 Intel NA | WG82567LF S LAW4.pdf | |
![]() | UF12R047A | UF12R047A SAMSUNG SMD or Through Hole | UF12R047A.pdf |