창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MT58L128L36P1T-10A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MT58L128L36P1T-10A | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TQFP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MT58L128L36P1T-10A | |
| 관련 링크 | MT58L128L3, MT58L128L36P1T-10A 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM219F51H104ZA01D | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219F51H104ZA01D.pdf | |
![]() | 416F30023IAR | 30MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30023IAR.pdf | |
| VS-10ETS08FPPBF | DIODE GEN PURP 800V 10A TO220FP | VS-10ETS08FPPBF.pdf | ||
![]() | PAT0805E2131BST1 | RES SMD 2.13K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E2131BST1.pdf | |
![]() | SDP8405-002 | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 | SDP8405-002.pdf | |
![]() | CM200DY-20 | CM200DY-20 MITSUBISHI SMD or Through Hole | CM200DY-20.pdf | |
![]() | HD68HC000CP10 | HD68HC000CP10 N/A PLCC | HD68HC000CP10.pdf | |
![]() | KSC341J | KSC341J ITT ORIGINAL | KSC341J.pdf | |
![]() | SM81C256K16CJ35 | SM81C256K16CJ35 SILICON SOJ | SM81C256K16CJ35.pdf | |
![]() | TL592BN | TL592BN TI PDIP-14 | TL592BN.pdf | |
![]() | ADV1988AKSTZ | ADV1988AKSTZ AD QFP | ADV1988AKSTZ.pdf | |
![]() | AMI7347KNF | AMI7347KNF AMI DIP16 | AMI7347KNF.pdf |