창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-MT203110 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | MT203110 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | con | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | MT203110 | |
| 관련 링크 | MT20, MT203110 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GRM319R71H104KA01D | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM319R71H104KA01D.pdf | |
![]() | TLJN686M004R8000 | 68µF Molded Tantalum Capacitors 4V 0805 (2012 Metric) 8 Ohm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TLJN686M004R8000.pdf | |
![]() | 170M4668 | FUSE SQ 800A 700VAC RECTANGULAR | 170M4668.pdf | |
![]() | PT500-1450-VM | 500µH Shielded Toroidal Inductor 3.4A 220 mOhm Max Radial | PT500-1450-VM.pdf | |
![]() | RF-HDT-DVBE-N2 | RFID Tag Read/Write 256b (User) Memory 13.56MHz ISO 15693, ISO 18000-3 Encapsulated | RF-HDT-DVBE-N2.pdf | |
![]() | B32330b1126j000 | B32330b1126j000 EPCOS SMD or Through Hole | B32330b1126j000.pdf | |
![]() | MF-2x1 MRA | MF-2x1 MRA NA MSP | MF-2x1 MRA.pdf | |
![]() | STAZ9723 | STAZ9723 STAZ QFP | STAZ9723.pdf | |
![]() | K8S6415ETA-DI7B | K8S6415ETA-DI7B SAMSUNG SMD or Through Hole | K8S6415ETA-DI7B.pdf | |
![]() | SMBD2838 Q68000-A8437 | SMBD2838 Q68000-A8437 INF SMD or Through Hole | SMBD2838 Q68000-A8437.pdf | |
![]() | MAX903CPA+ | MAX903CPA+ MAXIM DIP | MAX903CPA+.pdf | |
![]() | 4614X-102-514LF | 4614X-102-514LF Bourns DIP | 4614X-102-514LF.pdf |